根据对研磨工艺参数的优化，可以知道机械去除效率与主盘转速和载荷的关系，但机械抛光加工更关心工艺参数对碳化硅晶体表面质量的影响。
机械抛光片的抛光盘材料的选择
分别选择了球墨铸铁和聚氨酷两种材料的抛光盘，在其它工艺参数不变的条件下，对经过相同加工后的siC研磨片样品，进行了16h机械抛光，并且对相同区域进行了金相显徽镜和台阶仪的测试，
中两条交叉的划痕宽度中的划痕（小于1um）宽度宽，且边缘有加工引起的不连续断裂，台阶仪测得的粗糙度分别为：2nm和40nm。晶片样品。整个表面的划痕晶片样品的大小这是因为聚氨醋硬度值较低，同样粒径的金刚石磨粒的嵌入抛光垫表面的深度较深，嵌入晶片表面的深度较浅，所以去除表现为塑性流动；铸铁的硬度值较高，同样粒径的金刚石磨粒的嵌入抛光盘表面的深度较浅，嵌入晶片表面的深度较深，所以去除表现为脆性断裂。因此，弹性较高的聚氨酷抛光片比刚性较大的铸铁抛光盘对研磨片有更好的机械抛光效果。
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